通过调控二维金属穿越范霍夫奇点形成的超导穹顶

化学替代是探索低维量子材料中丰富多样掺杂和/或无序依赖集体现象的一条有前景的途径。在此我们表明，过渡金属硫族化物合金是实现此目的的理想平台。特别地，我们展示了通过替代 W 原子提供的微量电子掺杂，在原本为金属性的单层 TaSe$_{2}$ 中出现超导性。我们利用变温（0.34 K - 4.2 K）扫描隧穿谱（STS）研究了具有电子掺杂（$\delta$）的 Ta$_{1-\delta}$W$_\delta$Se$_2$ 超导态的温度与磁场依赖关系。我们揭示了跨越 0.003 < $\delta$ < 0.03 的超导穹顶的出现，其临界温度最大值为 0.9 K，较块体 TaSe$_{2}$（T$_C$ = 0.14 K）显著提升。随着费米面因掺杂接近范霍夫奇点，态密度（DOS）增加，超导性由此涌现。然而一旦到达奇点，DOS 随 $\delta$ 减小，逐渐削弱超导态，从而塑造出超导穹顶。最后，我们的掺杂依赖测量使我们能够明确追踪由 W 掺杂剂引起的无序所触发的库仑玻璃相的发展。