选择性氧化CsV3Sb5薄 flakes中超导与电荷密度波的竞争

近期发现的具有钒kagome网格的层状kagome金属AV$_3$Sb$_5$（A = K、Rb和Cs）为探索与拓扑能带结构交织的关联量子态提供了新平台。本文报道了通过剥离薄flakes的选择性氧化实现的空穴掺杂对超导与电荷密度波（CDW）序的显著影响。超导穹顶随有效掺杂量变化而显现。薄flakes中的超导转变温度（$T_{\mathrm{c}}$）和上临界场相较块体显著增强，同时伴随CDW的抑制。我们的详细分析确立了范霍夫奇点（VHSs）在促进这些kagome金属中关联量子序的关键作用。我们的实验不仅展示了超导与CDW序的有趣本质，也提供了通过选择性氧化与电栅极调控载流子浓度的新途径。这将AV$_3$Sb$_5$确立为一个可调的二维平台，用于进一步探索kagome晶格中3$d$电子间的拓扑与关联。