通过 Ta 掺杂增强 CsV3Sb5 超导性及其能隙结构演化
超导电性
2025-07-08 v1
摘要
本研究详细探讨了卡孔超导体 CsV3Sb5 单晶及其 Ta 掺杂衍生物 Cs(V0.86Ta0.14)3Sb5，采用比热测量法。结果显示，在 Ta 掺杂后，电荷密度波（CDW）明显抑制，超导临界温度（Tc）从 2.8 K 提升至 4.6 K。对原始样品 CsV3Sb5 的电子比热可拟合为包含 s 波能隙和高度各向异性的延伸 s 波能隙的模型，其中 2Δ/k_B T_c 的比值小于弱耦合极限的 3.5。对于掺杂样品 Cs(V0.86Ta0.14)3Sb5，表现为两个各向同性 s 波能隙，其中较大能隙为 2Δ/k_B T_c=5.04，表明超导耦合显著增强。这种演化归因于通过抑制 CDW 能隙释放 Fermi 面附近的态密度（DOS）所致。我们的结果显示，Ta 掺杂显著增强了 CsV3Sb5 的超导耦合，并导致能隙结构变化。
引用
@article{arxiv.2409.15738,
title = {Enhanced Coupling of Superconductivity and Evolution of Gap Structure in CsV3Sb5 through Ta Doping},
author = {Yiwen Li and Zhengyan Zhu and Qing Li and Yongze Ye and Zhiwei Wang and Yugui Yao and Hai-Hu Wen},
journal= {arXiv preprint arXiv:2409.15738},
year = {2025}
}