Ta掺杂CsV$_{3}$Sb$_{5}$单晶中的强耦合超导与弱涡旋钉扎

通过测量纯CsV$_{3}$Sb$_{5}$和Ta掺杂CsV$_{3}$Sb$_{5}$单晶的磁化强度，我们对这一kagome体系的下临界场、临界电流密度和平衡磁化强度进行了系统研究。在两种典型样品中研究了下临界场，Ta掺杂样品中温度依赖的下临界场可以用具有两个s波超导能隙的模型拟合，得到较大能隙$2\Delta_{s1}/k_\mathrm{B}T_\mathrm{c}=7.9\;(\pm1.8)$，这表明V基超导体具有强耦合特征。测量的磁滞回线使我们能够计算临界电流密度，显示出非常弱的体涡旋钉扎。这两种样品中测量的磁滞回线可以用最近提出的广义唯象模型很好地描述，从而确定了这些超导体的许多基本参数。我们的系统结果和详细分析得出结论：这一V基kagome体系具有强耦合超导、较大的Ginzburg-Landau参数和弱涡旋耦合的特征。