电掺杂 MoS$_2$ 单层晶体管拱顶的起源探讨
超导电性
2024-12-05 v1 材料科学
摘要
我们研究了摩氏二硫化物 (MoS) 单层材料在广泛掺杂范围内的超导性质，成功重现了迄今为之未解决的超导拱顶。我们的第一性计算结果揭示了跨掺杂依赖相图的多个动力学稳定相。我们观察到掺杂导致 增加，随后由于形成载流子密度波 (CDW)、极性扭曲以及从H 相向1T 相的结构转变导致 降低。我们的工作阐明了CDW在 MoS 中的各种实验观察与其掺杂依赖的超导拱顶结构之间的关联，该转变源于 H 相向 CDW 相的转变。
引用
@article{arxiv.2412.02822,
title = {Understanding the origin of superconducting dome in electron-doped MoS$_2$ monolayer},
author = {Nina Girotto Erhardt and Jan Berges and Samuel Poncé and Dino Novko},
journal= {arXiv preprint arXiv:2412.02822},
year = {2024}
}
备注
13 pages, 6 figures, Supplementary Materials included in "anc" folder