CVD生长MoS2双层膜中钨掺杂诱导的相变
材料科学
2025-11-24 v1
摘要
控制二维(2D)过渡金属硫化物(TMDs)的晶体相对于塑造其光学和电子性质至关重要。虽然单层TMDs的相变和半导体到金属转换已广泛研究，但双层(2L)系统中晶体相之间的结构转变仍属探索不足。本文演示了钨(W)掺杂诱导2L MoS2从非中心对称AA堆积到中心对称AB'相的相变。通过偏振分辨的第二谐波发生(SHG)和低频拉曼光谱，我们识别出随钨浓度增加相关联的相变。稀释掺杂的2L系统表现出消失的SHG信号和层间挤压(LB)振动模式的刚性变硬，与未掺杂样品中强SHG和较软LB模态不同。 Aberration corrected scanning transmission electron microscopy (AC-STEM)演示了W浓度的空间分布及其相关结构变化。这些发现表明，钨掺杂是诱导2L TMDs相变的有效策略，为工程化异质结构、相控器件应用或作为单光子发射器提供了新的可能性。
引用
@article{arxiv.2511.16758,
title = {Tungsten doping-induced phase transition in CVD-grown MoS2 bilayers},
author = {Ana Senkić and Rachael Keneipp and Petra Ivatović and Namrata Pradeep and Vincent Meunier and Marko Kralj and Marija Drndić and Nataša Vujičić},
journal= {arXiv preprint arXiv:2511.16758},
year = {2025}
}