单层 MoS2 的接触形貌及光电流动力学再探讨
介观与纳米尺度物理
2017-08-02 v1
摘要
二维层状过渡金属硫族化物 (TMDs) 已成为用于电子、光电子和谷电子学应用的有前景的材料。近期工作表明，光激发 TMDs 的带隙和激子束缚能发生剧烈变化，其超快非辐射弛豫过程有效地加热了晶格。这种现象在光电子器件的背景下尚未被考虑。我们解析了单层 MoS2 内相应的超快光电导动力学，并证明了测辐射热贡献在整体光电导中占主导地位。我们进一步揭示了，正如许多 MoS2 标准光电子测量中所使用的聚焦激光照明，会改变并退火金属接触的形貌。我们表明，尽管 Raman 光谱和光致发光光谱未显示出诸如晶体相变等显著变化，但结会随着横向内建电场而演化。我们强调了此类优化器件如何能够在片上高频和 THz 电路中驱动超快电磁信号。
引用
@article{arxiv.1708.00250,
title = {Contact morphology and revisited photocurrent dynamics in monolayer MoS2},
author = {Eric Parzinger and Martin Hetzl and Ursula Wurstbauer and Alexander W. Holleitner},
journal= {arXiv preprint arXiv:1708.00250},
year = {2017}
}