电场诱导多层MoS2中电致发光的显著增强
介观与纳米尺度物理
2015-10-20 v2
摘要
层状过渡金属硫族化合物(TMDs)因其独特的电子和光学性质引起了相当大的兴趣。本文报道了电场诱导的多层MoS2和WSe2中的强电致发光。我们展示了可以构建具有优异整流特性的GaN-Al2O3-MoS2和GaN-Al2O3-MoS2-Al2O3-石墨烯垂直异质结。电致发光研究表明，在整个垂直结区域上多层MoS2中存在突出的直接带隙激子发射。重要的是，在多层MoS2中观察到的电致发光效率可与单层相当甚至更高，相对于其光致发光，多层MoS2中的相对电致发光增强因子>1000。这种惊人的电致发光增强可归因于高电场诱导的载流子从k空间的低能点（间接带隙）到高能点（直接带隙）的重分布，这源于MoS2在高能点具有更高态密度的独特能带结构。电场诱导的电致发光对于包括WSe2在内的其他TMDs是普遍的，并且可以为探测多层TMDs中的载流子注入、布居和复合提供基础平台，并为基于TMDs的光电子器件开辟新途径。
引用
@article{arxiv.1501.02422,
title = {Electric field induced strong enhancement of electroluminescence in multi-Layer MoS2},
author = {Dehui Li and Rui Cheng and Hailong Zhou and Chen Wang and Anxiang Yin and Yu Chen and Nathan O. Weiss and Yu Huang and Xiangfeng Duan},
journal= {arXiv preprint arXiv:1501.02422},
year = {2015}
}
备注
8 pages, 5 figures