用于突触晶体管的钒掺杂单层二硫化钼中掺杂浓度调控
材料科学
2021-03-24 v1
摘要
掺杂是改性二维（2D）材料电子特性并赋予其新功能的有效途径。然而，在 2D 材料中实现大范围均匀替代式掺杂浓度调控仍具挑战。本文报道了通过原位化学气相沉积生长钒（V）掺杂单层二硫化钼（MoS2），其掺杂浓度可在 0.3 至 13.1 at% 间广泛可调。调控掺杂浓度的关键在于使用具有不同掺杂能力的合适 V 前驱体，这也产生了大尺度均匀掺杂效应。首次以重掺杂 MoS2 为沟道材料制备了人工突触晶体管。借助富含 V 原子以捕获/释放电子的该晶体管中栅极可调沟道电导变化，模拟了突触增强、抑制与重复学习过程。本工作展示了掺杂单层 2D 半导体的可行方法，并证明了其在人工突触晶体管中的应用。
引用
@article{arxiv.2103.12262,
title = {Doping Concentration Modulation in Vanadium Doped Monolayer Molybdenum Disulfide for Synaptic Transistors},
author = {Jingyun Zou and Zhengyang Cai and Yongjue Lai and Junyang Tan and Rongjie Zhang and Simin Feng and Gang Wang and Junhao Lin and Bilu Liu and Hui-Ming Cheng},
journal= {arXiv preprint arXiv:2103.12262},
year = {2021}
}
备注
21 pages, 5 figures