单层 MoS2 中的局域光掺杂
应用物理
2020-06-18 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
通过激光照射在二维材料中诱导静电掺杂（光掺杂效应）是调控光电子现象的一条令人兴奋的途径。然而，关于光掺杂在光电子器件中的作用在何种意义上是局域的，尚缺乏研究。在此，我们采用扫描光电流显微镜（SPCM）技术研究永久性光掺杂如何局域地调制 MoS2 晶体管中的光电流生成。我们主张光掺杂填充了 MoS2 导带中的电子态，从而阻止了 MoS2 薄片的 photon-absorption（光子吸收）与光电流生成。此外，通过比较位于不同衬底上的 MoS2 的持久光电流（PPC）生成，我们阐明用于栅极的材料与绝缘体之间的界面（栅极-绝缘体界面）对于光掺杂的产生至关重要。我们的工作向前推进了对 MoS2 晶体管中光掺杂效应的理解，以及该效应在集成器件中的实现。
引用
@article{arxiv.2006.09513,
title = {Local photodoping in monolayer MoS2},
author = {Andreij C. Gadelha and Alisson R. Cadore and Lucas Lafeta and Ana M. de Paula and Leandro M. Malard and Rodrigo G. Lacerda and Leonardo C. Campos},
journal= {arXiv preprint arXiv:2006.09513},
year = {2020}
}