纳米晶 MoS2 杂化体系中的非接触光致载流子密度调控
介观与纳米尺度物理
2019-01-29 v2
摘要
二维单层半导体的超薄特性使其光电性质对自由载流子密度的变化高度敏感，因此精确控制其掺杂水平至关重要。我们报道了一种新的光掺杂方案，其可准永久地将单层 MoS2 掺杂至与静电栅控相竞争的程度。该光掺杂通过将单层 MoS2 与氧化铟锡纳米晶耦合实现，后者在紫外光照后可在每个纳米晶中存储多个电子。在该杂化结构中，纳米晶中光生价带空穴由 MoS2 电子填充，从而对 MoS2 进行空穴光掺杂。观测到载流子密度降低约 6x10^12 cm^-2，相当于每个纳米晶存储约 40 个电子。由 MoS2 中局域能带结构变化引起的长程变化可蔓延至距局域光掺杂处达 40 微米远。这些研究揭示了单层半导体中新颖的全光载流子密度控制，实现了对局域电荷密度的远程控制与创新储能技术。
引用
@article{arxiv.1810.05385,
title = {Contactless photo-induced carrier density control in nanocrystal MoS2 hybrids},
author = {Ilka Kriegel and Nicholas J. Borys and Kehao Zhang and Adam W. Jansons and Brandon M. Crockett and Kristopher M. Koskela and Edward S. Barnard and Erika Penzo and James E. Hutchison and Joshua A. Robinson and Liberato Manna and P. James Schuck},
journal= {arXiv preprint arXiv:1810.05385},
year = {2019}
}