通过光致掺杂定义的 MoS$_2$ 量子输运结构
介观与纳米尺度物理
2018-04-24 v2 材料科学
摘要
我们提出了一种利用光致掺杂探索二硫化钼(MoS)结构中介观输运的器件方案。该器件基于范德华异质结构,其中少层 MoS 片部分被六方氮化硼封装,并覆盖少层石墨烯片以制备电接触。由于所制备的器件在低温下是绝缘的,我们利用 hBN 衬底中的光致远程掺杂在 MoS 层中产生自由电荷载流子。在器件顶部放置额外的金属结构,以定义结构的形状,并在底层 MoS/hBN 异质结构光致掺杂过程中充当掩膜。低温两终端和四终端输运测量显示了量子限域效应的证据。
引用
@article{arxiv.1612.01118,
title = {Quantum transport through MoS$_2$ constrictions defined by photodoping},
author = {Alexander Epping and Luca Banszerus and Johannes Güttinger and Luisa Krückeberg and Kenji Watanabe and Takashi Taniguchi and Fabian Hassler and Bernd Beschoten and Christoph Stampfer},
journal= {arXiv preprint arXiv:1612.01118},
year = {2018}
}
备注
9 pages, 6 figures