二硫化钼中缺陷诱导局域态的跳跃输运
材料科学
2014-08-29 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
二硫化钼是一种新型二维半导体，在电子和光电子器件中具有潜在应用。然而，背栅器件中的电荷输运性质仍然难以捉摸，因为它们表现出比理论计算低得多的迁移率以及固有的 n 型掺杂。在此，我们报告了对少层二硫化钼的输运研究，并结合了透射电子显微镜和密度泛函理论。我们提供了直接证据，证明二硫化钼中存在硫空位，它们在带隙内引入了局域施主态。在低载流子密度下，输运在高温下表现为最近邻跳跃，在低温下表现为变程跳跃，这可以在 Mott 形式体系下得到很好的解释。我们认为低载流子密度输运主要由通过这些局域带隙态的跳跃主导。我们的研究揭示了短程表面缺陷在调控二硫化钼性质及其器件应用中的重要作用。
引用
@article{arxiv.1309.3711,
title = {Hopping Transport through Defect-induced Localized States in Molybdenum Disulfide},
author = {Hao Qiu and Tao Xu and Zilu Wang and Wei Ren and Haiyan Nan and Zhenhua Ni and Qian Chen and Shijun Yuan and Feng Miao and Fengqi Song and Gen Long and Yi Shi and Litao Sun and Jinlan Wang and Xinran Wang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1309.3711},
year = {2014}
}
备注
35 pages, 4 figures. To appear in Nature Communications