非晶钼硅薄膜中的输运机制
应用物理
2020-10-23 v3 材料科学
摘要
非晶钼硅化合物因潜在的器件应用，尤其在单光子探测器中，已引起显著兴趣。本工作中，测量了温度依赖的电阻与磁电阻行为以揭示电荷输运机制，该机制对应用至关重要但仍研究不足。发现 Mott 变程跳跃电导主导溅射非晶钼硅薄膜的输运。此外，观测到的磁电阻由负到正的转变归因于干涉增强与电子波函数收缩，二者均改变了局域化位点间跳跃的概率。
引用
@article{arxiv.2002.06884,
title = {Transport mechanism in amorphous molybdenum silicide thin films},
author = {Zhengyuan Liu and Bingcheng Luo and Junbiao Hu and Cheng Xing},
journal= {arXiv preprint arXiv:2002.06884},
year = {2020}
}
备注
16 pages, 5 figures