通过磁沉积法沉积的薄质非晶钼硅超导壳层
超导电性
2026-03-06 v1 材料科学
摘要
采用非晶型超导体（如类型 II 钼硅（MoSi））而非晶体材料显著简化了材料沉积和可扩展纳米原型制造，有利于量子电子和光子器件的制造。在本工作中，通过脉冲直流磁沉积从钼和硅靶在氩气氛围中沉积了非晶 MoSi 薄膜。MoSi 薄膜沉积于氧化硅晶片和搭载 6 纳米 Al2O3 绝缘壳层的 Ga2O3 纳米线上，并使用扫描电子显微镜、透射电子显微镜、X 射线衍射和 X 射线光电子能谱进行表征。对薄膜和单个 Ga2O3-Al2O3-MoSi 核壳纳米线定义了四探针 Cr/Au 电气接触，并用于低温电气测量。通过控制靶的沉积功率从而调整 MoSi 薄膜中钼对硅的比例，可优化其性质以实现 Tc 为 7.25 K 的临界温度。此类超导壳层纳米线为基础研究和与其他材料的异构结构提供了新的应用前景，适用于量子器件。
引用
@article{arxiv.2603.05176,
title = {Thin amorphous molybdenum silicide superconducting shells around individual nanowires deposited via magnetron co-sputtering},
author = {Luize Dipane and Martins Zubkins and Gunta Kunakova and Eriks Dipans and Tom Yager and Boris Polyakov and Edgars Butanovs},
journal= {arXiv preprint arXiv:2603.05176},
year = {2026}
}