层状化硅化物的压力调控电子竞争态
强关联电子
2026-04-24 v1
摘要
层状过渡金属硫化物 (TMD) 包含可被外部扰动调控的竞争电子态，为探索无序性、电子结构与量子传输之间的相互作用提供了平台。本文我们研究了在高压下对 bulk 半导体 2H-MoTe2 的磁传输。于常压下，传输从高温金属行为演变为激活导电，最终进入强局域化的变量范围跳跃态，并在约 45 K 附近伴随显著的磁传输异常，表现出最高可达 60 台超大磁场的非饱和磁阻。在压缩至 15.6 GPa 后，绝缘态被快速抑制，出现一种低电阻态，其中量子干涉占主导，表现为低温下从弱反局化 (WAL) 到弱局化 (WL) 的横跨。一种以物理为依据的现象学描述捕捉了这些态下的磁阻，并得到一个在局域化和量子干涉态之间保持可比的特征电子长度尺度。第一性原理计算揭示了在压力驱动下带隙持续坍缩为半金属电子结构。这些结果建立了压力调控传输横跨 hopping 和量子相干态的统一图景。
引用
@article{arxiv.2604.21336,
title = {Pressure-Tuned Competing Electronic States in Layered Tellurides},
author = {Mahmoud Abdel-Hafiez and Govindaraj Lingannan and D. A. Chareev and A. N. Vasiliev and Anas Abutaha and Kadir Can Dogan and Mehmet Yagmurcukardes and Mehmet Egilmez and Hasan Sahin and Sami El-Khatib},
journal= {arXiv preprint arXiv:2604.21336},
year = {2026}
}