MoSe$_{2}$与MoTe$_{2}$的压力诱导能隙闭合及金属化
材料科学
2016-05-18 v1
摘要
层状钼二硫族化合物是半导体，其能隙由精细的层间相互作用控制。能隙倾向于随层间距离减小而下降，表明在压力下会发生坍缩和金属化。基于第一性原理计算，我们预测层状半导体2H-MoSe和2H-MoTe应在28至40 GPa（MoSe）和13至19 GPa（MoTe）的压力下发生金属化。与已知会发生2H 2H层滑移转变的MoS不同，这两种材料似乎至少保持原始2H层状结构至100 GPa，并在压力下越来越抵抗润滑层滑移。与金属化MoS类似，预测它们在费米能级表现出低态密度，且即便有超导温度也可能非常微弱。我们还研究了-MoTe结构，它是亚稳态，焓高于2H-MoTe。尽管其在零压下的半金属和（弱）超导特性已然存在，但金属性预计不会随压力急剧增加。
引用
@article{arxiv.1605.05111,
title = {Pressure-induced gap closing and metallization of MoSe$_{2}$ and MoTe$_{2}$},
author = {Michaela Rifliková and Roman Martoňák and Erio Tosatti},
journal= {arXiv preprint arXiv:1605.05111},
year = {2016}
}