二硫化钼多层沟道中的自旋输运
材料科学
2015-12-17 v1
摘要
二硫化钼近年来已成为一种大有前景的用于纳米电子、光电子和自旋电子学应用的二维半导体材料。然而，展示通过半导体性MoS2沟道的自旋输运具有挑战性。在此，我们展示了在多层MoS2半导体沟道中的电学自旋注入与检测。在低温下，通过长450nm、厚6个单层的沟道，使用Co/MgO自旋注入器和检测器，观察到约1%的磁电阻（MR）。通过对MR的偏置电压、温度和背栅电压依赖性的系统研究，发现接触耗尽区中通过局域态的跳跃对于观测到双端MR起关键作用。此外，发现对于面内自旋注入，多层MoS2沟道中的电子自旋弛豫被极大抑制。被低估的长自旋扩散长度（~235nm）和大自旋寿命（~46ns）为使用多层过渡金属硫族化合物的自旋电子学应用开辟了新途径。
引用
@article{arxiv.1512.05022,
title = {Spin transport in molybdenum disulfide multilayer channel},
author = {S. H. Liang and Y. Lu and B. S. Tao and S. Mc-Murtry and G. Wang and X. Marie and P. Renucci and H. Jaffrès and F. Montaigne and D. Lacour and J. -M. George and S. Petit-Watelot and M. Hehn and A. Djeffal and S. Mangin},
journal= {arXiv preprint arXiv:1512.05022},
year = {2015}
}