MoS$_2$ 中由磁性势垒引起的自旋与谷依赖隧穿
介观与纳米尺度物理
2025-07-16 v1
摘要
我们研究了单层二硫化钼 MoS 受磁性势垒影响下的电子输运。我们的分析采用全能连续模型以捕捉相关物理现象。我们关注电子能量、磁场强度和势垒几何特征如何影响传输和电导。我们观察到由磁性约束引起的量子干涉效应产生的尖锐共振隧穿特征。研究的关键结果是发现导带和价带中存在不同的共振模式。这些模式与 MoS 固有的自旋轨道耦合以及磁场对时间反演对称性的破坏密切相关。这导致电子输运中显著的自旋和谷选择性。我们展示了通过精确调整外部参数可以控制自旋极化和谷极化电流。我们表明，磁性势垒可用于控制 MoS 中的电子自旋和谷，使其成为高效能的自旋器件和谷器件的有前景的平台。
引用
@article{arxiv.2507.10716,
title = {Spin and valley-dependent tunneling in MoS$_2$ through magnetic barrier},
author = {Ahmed Jellal and Nadia Benlakhouy and Pablo Díaz and David Laroze},
journal= {arXiv preprint arXiv:2507.10716},
year = {2025}
}
备注
9 pages, 8 figures. Version to appear in Comput. Mater. Sci