单层WS$_2$中栅极调控的谷输运与古斯-汉欣效应
介观与纳米尺度物理
2017-02-10 v1
摘要
基于类狄拉克哈密顿量和相干散射形式体系，我们研究了栅极调控单层 WS 中透射与反射电子的自旋-谷输运以及类古斯-汉欣(GHL)效应。我们的结果表明，自旋极化电子的横向位移强烈依赖于栅极区域的宽度，并且在克莱因隧穿和经典运动区域下均可为正或负。当电子入射角接近临界角时，共振位置处横向位移的绝对值可显著增强。与透射电子的时间反演对称性相反，反射光束的 GHL 位移在自旋和谷同时互换下并不不变，表明 WS 单层上可调势垒导致了自旋-谷对称性的缺失。我们的发现为基于单层过渡金属硫族化合物的纳米电子器件中通过调节电子入射角实现谷滤波和谷束分裂的电学控制提供了证据。
引用
@article{arxiv.1701.06938,
title = {Gate-controlled valley transport and Goos-H\"{a}nchen effect in monolayer WS$_2$},
author = {Hassan Ghadiri and Alireza Saffarzadeh},
journal= {arXiv preprint arXiv:1701.06938},
year = {2017}
}
备注
8 pages, 6 figures, accepted for publication in J. Phys.: Condens. Matter