单层 MoS$_2$ 中跨越线缺陷的自旋与谷极化输运
介观与纳米尺度物理
2016-06-23 v1 材料科学
摘要
我们探讨了电荷载流子跨越单层过渡金属二硫族化物中有序线缺陷的弹道透射。我们的研究揭示了由自旋-轨道相互作用驱动的输运隙、自旋和谷过滤的存在，这两者均源于自旋与动量守恒的简单图像，以及电荷载流子透射的电子-空穴不对称性。利用第一性原理 Green 函数方法，我们进一步研究了实验观察到的单层 MoS 中有序线缺陷的电子输运性质，特别是空位线和反演畴界。我们的计算表明，在基于单层过渡金属二硫族化物中工程化周期性线缺陷的纳米电子器件中，有望实现电荷载流子近乎完全的自旋极化，从而为全电控自旋输运提供了一种实用方案。
引用
@article{arxiv.1606.06753,
title = {Spin- and valley-polarized transport across line defects in monolayer MoS2},
author = {Artem Pulkin and Oleg V. Yazyev},
journal= {arXiv preprint arXiv:1606.06753},
year = {2016}
}
备注
6 pages, 4 figures