硅烯与带隙石墨烯结构中的自旋与谷依赖 Goos-Hänchen 效应
介观与纳米尺度物理
2016-10-19 v1
摘要
我们研究了弹道电子在单层硅烯或带隙石墨烯中（i）从势能和（或）有效质量的阶梯状不均匀性反射，以及（ii）穿过铁磁势垒区透射时的 Goos-Hänchen 位移。对于从单一界面反射的电子，我们发现带隙石墨烯结构中的 Goos-Hänchen 位移是谷极化的，而在硅烯中由于自旋-谷耦合，该位移同时是谷极化和自旋极化的。与无带隙石墨烯相比，例如，带隙结构中的横向束位移不仅发生在全反射情形，也发生在部分反射情形，即在小于全反射临界角的角度下也会发生。我们还证明了穿过铁磁硅烯势垒的电子束的谷极化和自旋极化位移共振地依赖于势垒宽度。位移的共振值可以通过调节电势、外部垂直电场以及由绝缘铁磁衬底诱导的交换场来控制。
引用
@article{arxiv.1610.05491,
title = {Spin- and valley-dependent Goos-Hanchen effect in silicene and gapped graphene structures},
author = {E. S. Azarova and G. M. Maksimova},
journal= {arXiv preprint arXiv:1610.05491},
year = {2016}
}
备注
7 pages, 5 figures