古斯-汉欣效应的电子类比：综述
光学
2013-09-10 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
基于半导体或石墨烯纳米结构中的电子波光学，建立了光学与电子古斯-汉欣效应之间的类比。本文简要概述了电子古斯-汉欣位移领域迄今取得的进展，并展示了相关的光学类比。特别地，我们介绍了在各种半导体或石墨烯基纳米结构中巨大正负古斯-汉欣位移、其可控性以及在电子器件（例如自旋（或谷）分束器）中的潜在应用的若干理论结果。
引用
@article{arxiv.1301.3549,
title = {Electronic analogy of Goos-H\"{a}nchen effect: a review},
author = {Xi Chen and Xiao-Jing Lu and Yue Ban and Chun-Fang Li},
journal= {arXiv preprint arXiv:1301.3549},
year = {2013}
}
备注
21 pages, 5 figures, contribution to "Beam Shifts" special issue in Journal of Optics