单层石墨烯超晶格中的电子束偏移

本文研究了具有方形势垒一维周期势的单层石墨烯超晶格中广义 Goos-Hänchen 偏移的电子类比。研究发现，在零 $\bar{k}$ 带隙的带边附近，透过单层石墨烯超晶格的电子束的横向偏移既可为负也可为正，这与 Bragg 带隙带边附近的情况不同。这些负的和正的束偏移与 Dirac 点密切相关。当满足条件 $q_A d_A= -q_B d_B= m \pi$ ($m=1,2,3...$) 时，若入射能量高于 Dirac 点，束偏移可从负控制至正，反之亦然。此外，零 $\bar{k}$ 带隙内的缺陷模式可极大地增强束偏移。这些有趣的效应可在相对简单的光学装置中得到验证，并在基于石墨烯的电子波器件中具有潜在应用。