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外场作用下带隙石墨烯中的古斯-汉欣位移

介观与纳米尺度物理 2020-07-01 v1 量子物理

摘要

我们研究了处于磁场和随时间简谐振荡势垒中的带隙石墨烯中的狄拉克费米子。对带隙内的隧穿模式及相关的古斯-汉欣(GH)位移进行了分析研究。我们表明,中心带和前两个边带的透射GH位移在狄拉克点 ϵ+lω~\epsilon+l\hbar\tilde{\omega} (l=0,±1)(l=0,\pm 1) 处变号。我们还发现GH位移可正可负,并在透射共振处变为零。

关键词

引用

@article{arxiv.2006.16707,
  title  = {Goos-H\"anchen Shifts in Gapped Graphene subject to External Fields},
  author = {Miloud Mekkaoui and Ahmed Jellal and Hocine Bahlouli},
  journal= {arXiv preprint arXiv:2006.16707},
  year   = {2020}
}

备注

16 pages, 7 figures