石墨烯双势垒结构中的巨大 Goos-Hänchen 位移
介观与纳米尺度物理
2012-08-14 v1 光学
摘要
我们报道了电子束隧穿通过石墨烯双势垒结构时产生的巨大 Goos-Hänchen 位移 [Goos and H"{a}nchen, Ann. Phys. 436, 333 (1947)]。我们发现，在单势垒的透射隙内，该位移呈现出尖锐的峰值，其量级可达电子束宽度，且半高全宽相当小，这可被用于设计具有宽可调谐性和高能量分辨率的谷和自旋束分离器。我们将这种巨大位移归因于结构中的准束缚态。此外，色散中诱导的能隙可以提高分离器的可调谐性和分辨率。
引用
@article{arxiv.1208.2395,
title = {Giant Goos-H\"{a}nchen Shift in Graphene Double-barrier Structures},
author = {Yu Song and Han-Chun Wu and Yong Guo},
journal= {arXiv preprint arXiv:1208.2395},
year = {2012}
}
备注
5 pages including 5 figures