具有复电导率的二维材料引起的古斯-汉欣位移
光学
2018-03-23 v1 材料科学
摘要
我们理论研究了p偏振太赫兹光束入射到具有复电导率的二维材料表面上的古斯-汉欣(GH)位移。以单层石墨烯作为模型材料，我们确定了GH位移对费米能级和入射频率的依赖关系。空间和角度GH位移都存在。对于一般的两种GH位移，我们发现增加费米能级会使最大GH位移出现的入射角发生偏移。此外，我们看到在较高频率下，当入射频率改变时，光束位移量随费米能级增加而减小。然而在较低频率下，位移与费米能级成正比。在获得可测量的位移后，在适当的实验参数下，角度GH位移主导空间GH位移。我们的结果可能为这些材料在光电器件中的应用铺平道路，并且从根本上确定具有复电导率的二维材料的性质。
引用
@article{arxiv.1803.08223,
title = {Goos-H\"anchen shifts due to 2D materials with complex conductivity},
author = {Niña Angelica F. Zambale and Jenny Lou B. Sagisi and Nathaniel P. Hermosa},
journal= {arXiv preprint arXiv:1803.08223},
year = {2018}
}
备注
11 pages, 3 figures