单势垛硅烯中的可调Goos--H"anchen位移与群时延
介观与纳米尺度物理
2026-03-25 v1
摘要
我们考察通过硅烯中矩形静电势垛的Dirac费米子的Goos--H"anchen（GH）位移和群时延。通过分析其对入射角、势垛高度、势垛宽度和入射能量的依赖性，表明GH位移源于势垛区域内的量子干涉，呈现显著振荡。振荡峰的幅度和数量随能量、势垛宽度和入射角的增加而增大，导致横向光束位移得到增强。同时，群时延表现出与准束态形成相关的共振特征，随势垛宽度、能量和入射角的增加而增大，随势垛高度的增加而减小。这些结果阐明了势垛诱导的量子干涉如何控制硅烯中Dirac费米子的横向和时间动力学，凸显了静电势垛在实现二维Dirac材料可调传输中的潜在作用。
引用
@article{arxiv.2603.23264,
title = {Tunable Goos--H\"anchen shifts and group delay time in single-barrier silicene},
author = {Youssef Fattasse and Hocine Bahlouli and Clarence Cortes and David Laroze and Ahmed Jellal},
journal= {arXiv preprint arXiv:2603.23264},
year = {2026}
}
备注
10 pages, 8 figures. To appear in Ann. Phys. (2026)