石墨烯中的量子古斯-汉欣效应
介观与纳米尺度物理
2009-04-10 v3
摘要
古斯-汉欣(GH)效应是界面处全内反射的一种干涉效应，导致反射光束沿界面产生一个位移σ。我们证明，石墨烯中p-n结处的GH效应取决于无质量狄拉克费米子的赝自旋(子晶格)自由度，并发现σ在入射角α*=arcsin[sin α_c]^1/2处发生符号变化，其中α_c是全反射的临界角。在具有p型边界的n型掺杂沟道中，GH效应使最低传播模式的简并度加倍，在通常的自旋和谷简并度之上引入二重简并度。这可以观察到电导随沟道宽度增加而以8e^2/h的步长阶跃式增加。
引用
@article{arxiv.0901.0072,
title = {Quantum Goos-Hanchen effect in graphene},
author = {C. W. J. Beenakker and R. A. Sepkhanov and A. R. Akhmerov and J. Tworzydlo},
journal= {arXiv preprint arXiv:0901.0072},
year = {2009}
}
备注
5 pages, 6 figures; expanded version of the published paper (one extra page, one extra figure), including also a reference to J.M. Pereira et al, PRB 74, 045424 (2006)