金属/超导体界面处的类 Goos-Hänchen 位移
介观与纳米尺度物理
2018-09-12 v1
摘要
在正常金属/超导体界面处，来自正常金属 (N) 侧的入射电子可以被正常反射为电子，或被 Andreev 反射为空穴。我们表明，在这两种反射过程中，入射与反射 quasiparticles 之间沿界面均可能发生显著的横向位移，这类似于光学中的 Goos-Hänchen 效应。我们考虑了两个具体的模型系统。对于 N 侧为二维电子气的最简模型，我们发现虽然 Andreev 反射中的位移保持为正，但正常反射中的位移可为正或负，取决于激发能。对于 N 侧由 graphene 构成的第二个模型，Andreev 反射中的位移也可为负，并且由于额外的子格 pseudospin 自由度，位移具有丰富的行为。我们表明，该位移强烈地修改了 SNS 结构中受限波导模式的色散。我们还建议了一种用于检测该位移的可能实验装置。
引用
@article{arxiv.1803.09434,
title = {Goos-H\"anchen-like shifts at metal/superconductor interface},
author = {Ying Liu and Zhi-Ming Yu and Hua Jiang and Shengyuan A. Yang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1803.09434},
year = {2018}
}
备注
9 pages, 8 figures