量子霍尔区域内石墨烯表面上的巨大量化 Goos-Hänchen 效应
光学
2017-10-25 v1
摘要
我们理论上预测了量子霍尔区域内石墨烯表面上的一种巨大量化 Goos-Hänchen (GH) 效应。对于入射到石墨烯-基底系统上的光束，该巨大量化 GH 效应表现为一种角向偏移，其量化阶跃达到毫弧度量级。该量化 GH 效应可归因于量子化的霍尔电导率，其对应于量子霍尔区域内的离散朗道能级。我们发现，对于接近布儒斯特角的入射角，该量化阶跃可被极大增强。此外，布儒斯特角对霍尔电导率敏感，因此该量化 GH 效应可通过费米能级和外部磁场进行调制。这一巨大量化 GH 效应提供了一种通过直接光学测量来确定量子化霍尔电导率和离散朗道能级的便捷方法。
引用
@article{arxiv.1708.00193,
title = {Giant quantized Goos-H\"anchen effect on the surface of graphene in quantum Hall regime},
author = {Weijie Wu and Shizhen Chen and Chengquan Mi and Wenshuai Zhang and Hailu Luo and Shuangchun Wen},
journal= {arXiv preprint arXiv:1708.00193},
year = {2017}
}
备注
6 pages, 6 figures