自旋波在异手性界面处的古斯-汉欣效应
介观与纳米尺度物理
2019-08-29 v2 材料科学
摘要
我们从理论上研究了自旋波束在具有不同 Dzyaloshinskii-Moriya 相互作用（DMI）的两铁磁薄膜界面反射时的古斯-汉欣（GH）效应。解析推导了 GH 位移作为入射角与材料参数函数的公式。我们表明，GH 效应仅当自旋波在界面处发生全反射时才出现，否则消失。我们进一步探讨了不同宽度窄 DMI 条带所诱导的自旋波 GH 位移。发现所诱导的位移在宽度低至 nm 时仍与条带宽度无关，这为测量超窄磁条带的 DMI 强度提供了一种新方法，而这是当前技术无法实现的。完整的微磁模拟与我们的理论结果吻合良好。然而，较窄条带边缘磁化的强烈畸变会产生 GH 位移对宽度的依赖。本工作所呈现的结果有助于理解手性磁体中的 GH 效应，并量化亚 nm 尺度磁条中的 DMI 参数。
引用
@article{arxiv.1906.08999,
title = {Goos-H\"{a}nchen effect of spin waves at heterochiral interfaces},
author = {Zhenyu Wang and Yunshan Cao and Peng Yan},
journal= {arXiv preprint arXiv:1906.08999},
year = {2019}
}
备注
6 pages, 3 figures