单层MoS$_2$在垂直磁场中的谷塞曼效应和自旋谷极化电导
介观与纳米尺度物理
2015-03-03 v3 材料科学
摘要
我们研究了垂直磁场对零温度下单层MoS纳米带的电子结构和电荷输运的影响。我们特别通过磁场与轨道磁矩之间的耦合探索了诱导的谷塞曼效应。我们表明，由于有效质量不对称，有效两带哈密顿量导致导带和价带中的谷塞曼耦合失配，并且该失配与成正比，类似于激子结合能的抗磁位移。然而，随线性演化的主导项源于系统的多轨道和多带结构。此外，我们通过计算自旋谷分辨电导研究了系统的输运性质，并表明在低空穴掺杂情况下，边缘的输运通道对于其中一个自旋分量是手性的。这导致在无序存在下非手性自旋分量的局域化，从而提供了由无序诱导的自旋谷极化输运。
引用
@article{arxiv.1412.1459,
title = {Valley Zeeman effect and spin-valley polarized conductance in monolayer MoS$_2$ in a perpendicular magnetic field},
author = {Habib Rostami and Reza Asgari},
journal= {arXiv preprint arXiv:1412.1459},
year = {2015}
}
备注
12 pages, 7 figures, new references are added