单层 1{\it T}$^{\prime}$-\ce{MoS2} 中的自旋-谱 valley 极化 Weiss 振荡
介观与纳米尺度物理
2024-11-14 v1
摘要
单层 1{\it T}-\ce{MoS2} 表现出自旋和谱 valley 相关的质量倾斜 Dirac 锥，其低能有效哈密顿量中包含两个速度修正项。我们利用线性响应理论理论地研究了单层 1{\it T}-\ce{MoS2} 的纵向扩散磁导率。结果表明，当费米能级接近自旋轨道耦合隧穿时，在横向方向存在空间周期性电势调制且垂直电场不为零的情况下，Weiss 振荡分为两个分支并表现出自旋-谱 valley 极化。这种自旋-谱 valley 极化源于倾斜 Dirac 锥、自旋轨道耦合隧穿以及外部电势调制之间的相互作用，可作为单层 1{\it T}-\ce{MoS2} 的特征。当费米能级远离自旋轨道耦合隧穿时，在横向方向的磁场调制下，Weiss 振荡中会出现自旋极化。这种极化行为源于倾斜 Dirac 锥、自旋轨道耦合以及外部磁场调制之间的相互作用，表明有限的自旋轨道耦合隧穿并非 Weiss 振荡极化所必需。
引用
@article{arxiv.2411.08654,
title = {Spin-valley-polarized Weiss oscillations in monolayer 1{\it T}$^{\prime}$-\ce{MoS2}},
author = {Y. Li and W. Zeng and R. Shen},
journal= {arXiv preprint arXiv:2411.08654},
year = {2024}
}