1T$'^\prime$-MoS$_2$ 中倾斜狄拉克带的各向异性纵向光导率

1T$'^\prime$-MoS$_2$ 在外部垂直电场存在下呈现谷-自旋极化的倾斜狄拉克带，并在电场临界值附近发生拓扑绝缘体与带绝缘体之间的拓扑相变。在线性响应理论内，我们理论研究了未掺杂和掺杂 1T$'^\prime$-MoS$_2$ 中倾斜狄拉克带的各向异性纵向光导率，包括垂直电场的影响。揭示了自旋轨道耦合能隙、能带倾斜和垂直电场对倾斜狄拉克带光导率的影响。提出了一种通过纵向光导率的奇异行为探测 1T$'^\prime$-MoS$_2$ 中拓扑相变的理论方案。由于能带结构的相似性，1T$'^\prime$-MoS$_2$ 的结果预计对其他单层倾斜带隙狄拉克材料（如 $\alpha$-SnS$_2$、TaCoTe$_2$ 和 TaIrTe$_4$）在定性上成立。