压力下有机导体中二维Dirac电子的异常电导率

利用同时包含杂质散射与电子--声子(e--p)散射的二维紧束缚(TB)模型，我们研究了有机导体 $\alpha$-(BEDT-TTF)$_2$I$_3$ [BEDT-TTF = bis(ethylenedithio)tetrathiafulvalene] 在压力下的 Dirac 电子电导率。我们研究了一种异常的导电温度依赖性，其表现为从低温下 $\sigma_{x} < \sigma_{y}$ [区域(I)] 到高温下 $\sigma_{x} > \sigma_{y}$ [区域(II)] 的跨接。$\sigma_y$ 和 $\sigma_x$ 分别是平行于分子堆叠轴和垂直于分子堆叠轴的对角电导率。在区域(I)中 Dirac 锥倾斜效应占主导，而在区域(II)中 Dirac 锥速度的各向异性占主导。通过计算由非对角电导率 $\sigma_{xy}$ 引起的主轴偏离，以及由 e--p 散射导致的高温近似恒定电导率，我们进一步考察了此类行为，这是对先前简单两能带模型结果 [Phys. Rev. B {\bf 98},161205 (2018)] 的扩展。并讨论了与有机导体实验的相关性。