压力下有机导体中二维Dirac电子的Seebeck系数

Seebeck系数正比于热电导率与电导率之比，我们采用含杂质与电子–声子（e–p）散射的二维紧束缚模型，研究了单轴压力下有机导体$\alpha$-(BEDT-TTF)$_2$I$_3$[BEDT-TTF表示双(亚乙基二硫代)四硫富瓦烯分子]中Dirac电子的Seebeck系数。我们计算了Seebeck系数$S_{\nu}$（$\nu = x$（垂直于分子堆叠轴）与$y$）的反常温度（$T$）依赖关系，其表现为高温处$S_\nu > 0$且有极大值、低温处$S_{\nu} < 0$且有极小值。借助谱电导率阐明了$S_\nu$变号的微观机制。结果与$\alpha$-(BEDT-TTF)$_2$I$_3$的实验进行了比较。