有机导体 $\alpha$-(BEDT-TTF)$_2$I$_3$ 中狄拉克点的分析
材料科学
2018-11-14 v1 强关联电子
摘要
利用具有最近邻转移能和每个原胞四个分子的紧束缚模型，分析了加压下有机导体 -(BEDT-TTF)I 中的狄拉克电子。注意到第一与第二能带之间的狄拉克点在时间反演不变动量（TRIM）处随能级交叉而出现或湮灭，基于 TRIM 处这两个具有围绕反演中心的反演对称性所关联不同宇称的波函数，推导了有效哈密顿量。我们证明狄拉克点由源于围绕 TRIM 的对称与反对称函数所描述哈密顿量的两类线的交点决定。本方法在较宽压力范围内定量给出了 -(BEDT-TTF)I 狄拉克点的合理位置。
引用
@article{arxiv.1811.05064,
title = {Analysis of Dirac Point in the Organic Conductor $\alpha$-(BEDT-TTF)$_2$I$_3$},
author = {Yoshikazu Suzumura},
journal= {arXiv preprint arXiv:1811.05064},
year = {2018}
}
备注
5 pages, 12 figures