倾斜高阶赝自旋Dirac-Weyl锥的光学电导

我们研究了在低能下由具有更高赝自旋$\mathcal{S}$值的Dirac-Weyl哈密顿量所描述的系统的有限频率光学响应。特别地,我们考察了哈密顿量中施加倾斜项从而导致Dirac电子能带结构倾斜的情形。为展示光学响应中的预期特征,我们计算并讨论了在二维与三维下$\mathcal{S}=1$、$3/2$与$2$情形的光学电导。我们考察了欠倾斜(I型)与过倾斜(II型)以及临界倾斜(III型)情形。除众所周知的$\mathcal{S}=1/2$情形外,任意$\mathcal{S}$均呈现出一种规律。我们注意到,在具有多个嵌套锥的情形(如$\mathcal{S}>1$时发生),一个锥为I型而另一个为II型的可能性使得光学特征有更丰富的变异,我们将其标记为IV型行为。我们还评论了倾斜存在下的光学求和定则。最后,我们讨论了二维$\alpha$-T$_3$模型中的倾斜,该模型是$\mathcal{S}=1/2$(蜂窝晶格)与$\mathcal{S}=1$(骰子或T$_3$晶格)模型的可变Berry相混合体。我们将此模型的光学电导与$\mathcal{S}=3/2$和$\mathcal{S}=2$的情形进行对比,因其所得光学响应有某些相似性,但这些情形间存在明确的区分特征。