I 型和 II 型磁性外尔半金属中的自旋磁化率

我们研究了 $\mathcal{T}$-反演对称性破缺的外尔半金属晶格模型中的相互作用自旋磁化率。针对自旋 SU(2) 对称性破缺情形，我们采用了包含阶梯图与气泡图混合的随机相位近似（RPA）方法，超越了 SU(2) 对称情形。在此方法中，我们探索了在不同温度下磁有序趋势与能带结构倾斜参数 $\gamma$ 之间的关系。磁有序的临界相互作用强度 $U_c$ 随着倾斜项从 I 型外尔半金属变为 II 型而减小。温度越低，两者之间临界点处 $U_c$ 的下降越急剧。我们还研究了在近半填充处轻微掺杂时 $U_c$ 的变化。 generally 发现这些外尔体系表现出强烈各向异性的自旋响应，其增强的二重简并横向磁化率垂直于倾斜方向，这继承自裸哈密顿量的 $\mathcal{C}_{4z}$ 旋转对称性，而纵向响应相对于此被抑制。对于小倾斜 $\gamma$ 和足够强的相互作用，我们发现两种简并的有序模式，其自旋序垂直于倾斜方向，但平行于自旋方向的自旋关联长度短得多。随着倾斜增大，体系发展出针对面内磁有序的不稳定性，波矢为 $(0,\pi, q_z)$ 和 $(\pi,0, q_z)$，其中 $q_z$ 在过渡到 II 型外尔半金属之前从 0 增至 $\pi$。这些结果表明关联外尔半金属中磁相的丰富性，也对精确理论描述提出了挑战。