MoS$_2$ 单层中的谷自旋声学共振

K. Sonowal; D. V. Boev; A. V. Kalameitsev; V. M. Kovalev; I. G. Savenko

doi:10.1103/PhysRevB.106.155426

MoS$_2$ 单层中的谷自旋声学共振

介观与纳米尺度物理 2022-11-09 v1

作者: K. Sonowal , D. V. Boev , A. V. Kalameitsev , V. M. Kovalev , I. G. Savenko

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摘要

单层 MoS $_2$ 的能带结构包含自旋分裂子带，这是由于反演对称破缺和强自旋轨道耦合的共同存在。在导带中，自旋-谷耦合子带在有限动量处相互交叉，并且它们是谷简并的。当暴露于表面声波时，新兴的应变诱导有效磁场可在子带交叉点附近引起自旋分裂子带之间的自旋翻转跃迁，导致自旋声学共振和声波电电流的出现。外部磁场打破谷简并，导致表面声波吸收和声波电电流中自旋声学共振的谷选择性分裂。

关键词

谷自旋声学共振 MoS$_2$ 单层表面声波自旋轨道耦合谷简并声波电电流

引用

@article{arxiv.2206.11551,
  title  = {Valley spin-acoustic resonance in MoS${\bf _2}$ monolayers},
  author = {K. Sonowal and D. V. Boev and A. V. Kalameitsev and V. M. Kovalev and I. G. Savenko},
  journal= {arXiv preprint arXiv:2206.11551},
  year   = {2022}
}

备注

8 pages, 4 figures

MoS$_2$ 单层中的谷自旋声学共振

摘要

关键词

引用

备注

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