通过原子吸附在谷-层锁定单层中实现谷与自旋劈裂

迄今为止，已发现若干具有自旋-谷或谷-层耦合的谷材料。人们高度期望在谷材料中实现更多电子自由度的相互作用。基于第一性原理计算，我们展示了借助原子吸附选择性表达层赝自旋，在 TiSiCO 单层的能带结构中实现谷与自旋简并的解除。过渡金属吸附原子的引入提供了有效电场与磁邻近效应，从而产生谷与自旋劈裂。这些劈裂可通过施加外电场进一步调控。根据修正后的能带结构，在适当频率的光场下可选择性地产生具有不同自旋与电偶极子组合的各种层间激子。原子吸附 TiSiCO 单层中可调的谷与自旋劈裂为探索自旋、谷与层赝自旋之间的相互作用以及设计先进光电器件提供了机遇。