掺杂五角CdSeTe单层中两个带边对齐的选择性开关：原子-谷子锁定
材料科学
2024-09-17 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
在光催化水分解领域，目前尚无研究显式探讨二维材料中具有内在电场时，是否存在多种带边对齐。本文中，我们设计了掺杂五角CdSeTe单层，提出了一种新概念——原子-谷子锁定（atom-valley locking），可提供多种带边位置。在CdSeTe单层中，电子结构中出现两个不同的谷子，一个由Se原子贡献，另一个由Te原子贡献，二者之间存在187 meV的自发极化。这种现象可归因于谷子电子的局域化以及四折轴反射对称性的破缺，但不依赖于时间反演对称性的破坏。由于谷子分布具有原子依赖性， can be identified. Furthermore, selective switching between them can be achieved by strain engineering, thereby enabling precise control over the site of the hydrogen evolution reaction. Our findings open up new opportunities for exploring valley polarization and provide unique insights into the photocatalytic applications of 2D materials with intrinsic electric fields.
引用
@article{arxiv.2409.09625,
title = {Selective Switching Between Two Band-Edge Alignments in Ternary Pentagonal CdSeTe Monolayer: Atom-Valley Locking},
author = {Zhi-Qiang Wen and Qiu Yang and Shu-Hao Cao and Zhao-Yi Zeng and Hua-Yun Geng and Xiang-Rong Chen},
journal= {arXiv preprint arXiv:2409.09625},
year = {2024}
}