谷超晶格的实现
介观与纳米尺度物理
2018-08-01 v1
摘要
在众多被广泛研究的材料中，如 Si、AlAs、Bi、石墨烯、MoS2 以及许多过渡金属硫族化物单层，电子在简并的导带极小值处获得一个额外的、类自旋的自由度，亦称为“谷”。机械应变或电场、磁场等外禀对称性破缺场可调控这些材料的谷极化，使其成为“谷电子学”的合适候选。本文研究 AlAs 量子阱，其中二维电子居于两个能量简并的谷中。通过在样品表面制备应变诱导光栅，我们构建了不同谷中电子布居的空间调制，即量子阱平面内的“谷超晶格”。我们的结果确立了调控谷自由度的一种新技术，为多谷材料中实现谷选择性层状结构铺平了道路，在谷电子学方面具有潜在应用。
引用
@article{arxiv.1807.09752,
title = {Realization of a Valley Superlattice},
author = {M. A. Mueed and Md. Shafayat Hossain and I. Jo and L. N. Pfeiffer and K. W. West and K. W. Baldwin and M. Shayegan},
journal= {arXiv preprint arXiv:1807.09752},
year = {2018}
}