完全自旋极化时谷磁化率的增强
介观与纳米尺度物理
2008-10-14 v1 强关联电子
摘要
对限制在AlAs量子阱中的二维电子系统的测量表明，在给定电子密度下，当系统从部分自旋极化过渡到完全自旋极化时，谷磁化率（定义为每单位应变下谷布居数之差的变化）会增强。这一观察结果让人联想到早期的研究，其中观察到AlAs电子的自旋磁化率在单谷系统中高于其双谷对应系统。
引用
@article{arxiv.0810.2142,
title = {Enhancement of valley susceptibility upon complete spin-polarization},
author = {Medini Padmanabhan and T. Gokmen and M. Shayegan},
journal= {arXiv preprint arXiv:0810.2142},
year = {2008}
}