相互作用二维电子系统的谷磁化率
介观与纳米尺度物理
2009-11-11 v1 强关联电子
量子物理
摘要
我们报告了在AlAs二维电子系统中谷磁化率（即谷布居数对施加的对称性破缺应变的响应）的直接测量结果。随着二维密度的降低，谷磁化率相对于其能带值显著增加，反映了系统强烈的电子-电子相互作用。这种增加与自旋磁化率的增强有着显著的相似性，并确立了自旋与谷自由度之间的类比关系。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0605692,
title = {Valley susceptibility of an interacting two-dimensional electron system},
author = {O. Gunawan and Y. P. Shkolnikov and K. Vakili and T. Gokmen and E. P. De Poortere and M. Shayegan},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0605692},
year = {2009}
}
备注
5 pages, 2 figures