AlAs二维电子在垂直磁场下的谷位分裂
强关联电子
2007-05-23 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
通过测量倾斜磁场中洛伦兹能级重叠的角度（重合法），我们确定了 confined AlAs量子井中高迁移率二维(2D)电子的导带谷位分裂。数据表明，在无磁场时，谷位几乎是退化的；但随着垂直磁场的增大，谷位会发生分裂。这种分裂似乎主要取决于垂直磁场分量的大小，这表明电子-电子相互作用是其本源。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0207431,
title = {Valley splitting of AlAs two-dimensional electrons in a perpendicular magnetic field},
author = {Y. P. Shkolnikov and E. P. De Poortere and E. Tutuc and M. Shayegan},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0207431},
year = {2007}
}
备注
Revtex4: 4 pages, 4 figures. Submitted for publication