交叉电场与倾斜磁场中二维电子的电阻振荡

在置于倾斜磁场中的宽GaAs单量子阱中，研究了直流电场对高迁移率二维电子输运的影响。研究表明，在垂直磁场中，电阻由于电场诱导的量子能级间朗道-齐纳跃迁而振荡，这对应于回旋轨道与电子态密度周期调制之间的几何共振。磁场倾斜使这些振荡反相。令人惊讶的是，最强的反相振荡出现在某一倾斜角度，该角度对应于在半经典电子轨道磁击穿区域中电子态密度调制几乎消失。这一现象确立了一个由于朗道量子化引起的量子电阻振荡的实例，其发生在具有恒定态密度的电子系统中。