有效质量对自旋和谷自由度的依赖性
介观与纳米尺度物理
2009-11-13 v1 强关联电子
摘要
我们测量了限制在AlAs量子阱中的相互作用二维电子的有效质量(m*)，同时通过施加应变和磁场分别改变了导带谷占据数和自旋极化。与能带值相比，除非电子完全谷极化和自旋极化，否则m*会增强。值得注意的是，在完全自旋和谷极化的状态下，电子系统表现出绝缘行为。
引用
@article{arxiv.0810.1956,
title = {Dependence of Effective Mass on Spin and Valley Degrees of Freedom},
author = {T. Gokmen and Medini Padmanabhan and M. Shayegan},
journal= {arXiv preprint arXiv:0810.1956},
year = {2009}
}
备注
4 pages, 4 figures