GaAs 中二维电子体自旋磁化率向弱相互作用区域的研究
介观与纳米尺度物理
2007-05-23 v1
摘要
我们确定了在 GaAs/AlGaAs异结构器件中可调高品质二维电子体在弱相互作用 regime 下的自旋磁化率 χ。由于在弱相互作用 regime 中电子密度较大，需严格考虑带结构效应——即改变有效质量和 g 因子——这些效应在实验范围内具有显著影响。当 χ 经过适当归一化后，随着密度从 0.1 到 的增大，χ 单调减小，从 3 降至 1.1。在高密度极限下，χ 正确地趋向 χ→1，与最新理论结果良好吻合。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0511668,
title = {Spin Susceptibility of a 2D Electron System in GaAs towards the Weak Interaction Region},
author = {Y. -W. Tan and J. Zhu and H. L. Stormer and L. N. Pfeiffer and K. W. Baldwin and K. W. West},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0511668},
year = {2007}
}
备注
Submitted to Physical Review B